А. В. Марченко, А. Б. Жаркой, Н. Н. Жуков
Цена: 50 руб.
Информация о валентном и координационном состоянии дочерних
атомов 119mSn, возникающих после распада материнских атомов
119Sb и 119mTe в катионных и анионных узлах халькогенидов свинца,
получена методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии с
материнским изотопом 119mTe, находящимся в подвижном радиоактивном равновесии с дочерним изотопом 119Sb. Показано, что
относительное количество возникающих атомов олова в различных
валентных и координационных состояниях зависит от времени,
прошедшего после приготовления мессбауэровских источников.
Аналогичные результаты получены также для халькогенидов
мышьяка, находящихся в стеклообразном состоянии.
Ключевые слова: халькогенидные полупроводники, мессбауэровская спектроскопия, халькогениды свинца.
REFERENCES
1. Ambe, F., Ambe, S., Shoji, H., & Saito, N. Mössbauer emission spectra of
119Sn after the EC decay of 119Sb in metals, oxides, and chalcogenides of antimony
and tellurium. The Journal of Chemical Physics. 1974, Vol. 60, no. 10, pp. 3773–3778.
doi:10.1063/1.1680818
2. Ambe, F., & Ambe, S. Mössbauer emission studies of defect 119Sn, 119Sb, and
119mTe atoms after nuclear decays and reactions in SnSb, SnTe, and Sb2Te. The Journal
of Chemical Physics. 1980, Vol. 73, no. 5, pp. 2029–2036. doi:10.1063/1.440422
3. Ambe, F., & Ambe, S. A site distribution study of dilute 119Sb and 119mTe on
solidification of SnTe and SnSb by Mössbauer emission spectroscopy of 119Sn. The Journal of Chemical Physics. 1981, Vol. 75, no. 5, pp. 2463–2465. doi:10.1063/1.442270
4. Masterov, V.F., Nasredinov, F.S., Nemov, S.A., Seregin, P.P., Troitskaya, N.N.,
& Bondarevskii, S.I. Position of antimony impurity atoms in PbTe lattice determined
by emission Mössbauer spectroscopy. Semiconductors. 1997, Vol. 31, no. 11, pp.
1138–1139. doi: 10.1134/1.1187281
5. Masterov, V.F., Bondarevskii, S.I., Nasredinov, F.S., Seregin, N.P., &
Seregin, P.P. Antistructural defects in PbTe-type semiconductors. Semiconductors.
1999, Vol. 33, no. 7, pp. 710–711. doi:10.1134/1.1187765
6. Masterov, V.F., Nasredinov, F.S., Seregin, P.P., Seregin, N.P., Ermolaev, A.V.,
& Bondarevskii, S.I. Determining the position of antimony impurity atoms in PbS by
119 Sb( 119 m Sn) emission Mössbauer spectroscopy. Semiconductors. 1999, Vol. 33,
no. 8, pp. 836–837. doi:10.1134/1.1187792
7. Nemov, S.A., Seregin, P.P., Kozhanova, Yu.V., & Seregin, N.P. Two-electron tin
centers formed in lead chalcogenides as a result of nuclear transmutations. Semiconductors. 2003, Vol. 37, no. 12, pp. 1367–1372. doi:10.1134/1.1634655
8. Seregin, N.P., Seregin, P.P., Nemov, S.A., & Yanvareva, A.Y. Antistructural
defects in lead chalcogenides. Journal of Physics: Condensed Matter. 2003, Vol. 15,
no. 44, pp. 7591–7597. doi:10.1088/0953-8984/15/44/012
9. Bordovsky, G.A., Nemov, S.A., Marchenko, A.V., Zaiceva, A.V., Kozhokar, M. Yu.,
& Seregin, P.P. States of antimony and tin atoms in lead chalcogenides. Semiconductors. 2011, Vol. 45, no. 4, 427–430. doi: 10.1134/S1063782611040051
10. Bordovsky, G.A., Kozhokar, M.Y., Marchenko, A.V., Naletko, A.S., &
Seregin, P.P. Tin U--centers formed through nuclear transformations in vitreous arsenic
sulfides and selenides. Physics of the Solid State. 2012, Vol. 54, no. 7, pp. 1353–1357.
doi:10.1134/S1063783412070086
11. Terukov, E.I., Seregin, P.P., & Marchenko, A.V. Temperature dependence of
the frequency of two-electron exchange between impurity negative-U tin centers in
lead sulfide. Technical Physics Letters. 2014, Vol. 40, no. 3, pp. 196–198. doi:10.1134/
S1063785014030134
12. Marchenko, A.V., Zhilina, D.V., Bobokhuzhaev, K.U., Nikolaeva, A.V.,
Terukov, E.I., & Seregin, P.P. Electron exchange between impurity centers of tin in
lead chalcogenides. Physics of the Solid State. 2015, Vol. 57, no. 10, pp. 1978–1983.
doi:10.1134/S1063783415100182
13. Marchenko, A.V., Terukov, E.I., Seregin, P.P., Rasnjuk, A.N., & Kiselev, V.S.
Electron exchange between tin impurity U–centers in PbSzSe1–z alloys. Semiconductors. 2016, Vol. 50, no. 7, pp. 876–882. doi:10.1134/S1063782616070149
14. Marchenko, A.V., Terukov, E.I., Egorova, A.Yu., Kiselev, V.S., & Seregin, P.P.
Electron exchange between neutral and ionized impurity iron centers in vitreous
arsenic selenide. Semiconductors. 2017, Vol. 51, no. 4, pp. 449–453. doi:10.1134/
S1063782617040133
15. Bordovsky, G.A., Marchenko, A.V., Seregin, P.P., & Nemov, S.A. Mössbauer
studies of two-electron centers with negative correlation energy in crystalline and amorphous semiconductors. Semiconductors. 2012, Vol. 46, no. 1, pp. 1–21. doi:10.1134/S1063782612010071
